中国是HFCs的生产和消费大国，根据UNEP的评估，与不受控情景相比，到2050年中国削减HFCs可带来300亿吨二氧化碳当量的气候效益，为全球降温0.5摄氏度贡献1/3的力量。
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据悉，《基加利修正案》最终确定了包括C4H2F6、CH3F、C3H2F6在内的18种氢氟碳化物（HFCs）受控物质。六氟异丁烯（C4H2F6）是一种用于半导体的前段刻蚀的低GWP值的绿色环保新型干法刻蚀气体；高纯一氟甲烷（CH3F）是一种绿色、高效的蚀刻气，它可选择性地蚀刻硅化合物的薄膜，可用于半导体及电子产品的蚀刻制程中；六氟丙烷（C3H2F6）是一种应用于半导体前段刻蚀的新型干法刻蚀气体。三氟甲烷要求尽量全部替代，国内某企业已经开发出了用作集成电路中蚀刻气体的HFC-236fa和HFC-236ea，液化空气曾申请了一项名为“用于蚀刻多层膜的化学方法”的专利，该专利公开了制造3D NAND闪存所用的新型刻蚀气体的方法，所需的氢氟碳酸蚀刻气体包括HFC-236fa，HFC-236ca，C3HF7和iso-C3HF7等。
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